| 描述 | 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2 | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | SRAM | 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 4Mb | 存储器组织 | 256K x 16 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | 10ns | 访问时间 | 10 ns |
| 电压 - 供电 | 2.4V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
【ISSI】IS61WV25632BLL-10BLI,静态随机存取存储器 8Mb 256Kx32 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS61WV25632BLL-10BLI-TR,静态随机存取存储器 8Mb 256Kx32 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS61WV2568EDBLL-10KLI,静态随机存取存储器 2Mb (256K x 8) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS61WV2568EDBLL-10KLI-TR,静态随机存取存储器 2Mb (256K x 8) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS61WV2568EDBLL-10TLI,静态随机存取存储器 2Mb (256K x 8) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR,静态随机存取存储器 2Mb (256K x 8) 10ns Async 静态随机存取存储器
