| 描述 | IC SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP | 存储器类型 | SRAM - 异步 |
|---|---|---|---|
| 存储容量 | 4M (512K x 8) | 速度 | 10ns |
| 接口 | 并联 | 电源电压 | 2.4 V ~ 3.6 V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C | 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 44-TSOP II | 包装 | 托盘 |
| 其它名称 | 706-1147 |
【ISSI】IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR,静态随机存取存储器 2Mb 128K x 16 2.5v- Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS61WV6416BLL-12BLI,静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 12ns/3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61WV6416BLL-12BLI-TR,静态随机存取存储器 1Mb 64Kx16 12ns/3.3v Async 静态随机存取存储器 3.3v
【ISSI】IS61WV6416BLL-12KLI,静态随机存取存储器 1M (64Kx16) 12ns Async 静态随机存取存储器 3.3v