| 描述 | IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | SRAM | 技术 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 2Mb | 存储器组织 | 256K x 8 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | - |
| 写周期时间 - 字，页 | 10ns | 访问时间 | 10 ns |
| 电压 - 供电 | 2.4V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
【ISSI】IS64WV3216BLL-15CTLA3,静态随机存取存储器 512Kb (32Kx16) Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR,静态随机存取存储器 512Kb (32Kx16) Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10CTLA3,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10CTLA3-TR,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10MA3,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10MA3-TR,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10MLA3,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
【ISSI】IS64WV51216BLL-10MLA3-TR,静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 10ns Async 静态随机存取存储器
