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  • ISC027N10NM6ATMA1

ISC027N10NM6ATMA1

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥32.44000剪切带(CT)5,000 : ¥15.64983卷带(TR)
  • 系列:OptiMOS?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
产品属性
描述TRENCH >=100V PG-TDSON-8FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)23A(Ta), 192A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.7 毫欧 @ 50A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.3V @ 116μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)72.5 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5500 pF @ 50 VFET 功能-
功率耗散(最大值)3W(Ta), 217W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-TDSON-8 FL
封装/外壳8-PowerTDFN

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