| 描述 | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.018 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-252AA |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 28 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 55 W |
| 上升时间 | 46 ns, 29 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns, 52 ns |
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AD3ST,MOSFET 30V 20a 0.022 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AP3,MOSFET N-Ch PWM Optimized Logic Level
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AS3ST,MOSFET N-Ch MOSFET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】ISL9N327AD3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N7030BLP3,MOSFET 30V 0.009 Ohm N-Ch Logic Level 74a
【Fairchild Semiconductor】ISL9R1560G2,DIODE STEALTH 600V 15A TO247-2