| 描述 | IGBT N-CH IGNTN 400V 10A TO263AB | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 430V |
|---|---|---|---|
| Vge, Ic时的最大Vce（开） | 1.9V @ 4V，6A | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 10A |
| 功率 - 最大 | 130W | 输入类型 | 逻辑 |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | TO-263AB | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | ISL9V2040S3STTRISL9V2040S3ST_NLISL9V2040S3ST_NLTRISL9V2040S3ST_NLTR-ND |
【Fairchild Semiconductor】ISL9V2540S3S,IGBT IGN N-CH ECOSPARK D2PAK
【Fairchild Semiconductor】ISL9V2540S3ST,IGBT IGNITION N-CH D2PAK
【Fairchild Semiconductor】ISL9V3036D3S,IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】ISL9V3036D3ST,IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-252AA
【Fairchild Semiconductor】ISL9V3036P3,IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-220AB
【Fairchild Semiconductor】ISL9V3036S3S,IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】ISL9V3036S3ST,IGBT N-CHAN 360V 300MJ TO-263AB
