描述 | SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4 | FET 类型 | P 通道 |
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技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 930mA(Ta), 1.55A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 980 毫欧 @ 900mA, 10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 165μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 7.2 nC @ 10 V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 350 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta),5W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
【Lattice】ISPGAL22LV10-10LJ,SPLD - 简单可编程逻辑器件 PROGRAMMABLE LO VOLT E2CMOS PLD
【Lattice】ISPGAL22LV10-10LJI,SPLD - 简单可编程逻辑器件 PROGRAMMABLE LO VOLT E2CMOS PLD
【Lattice】ISPGAL22LV10-10LK,SPLD - 简单可编程逻辑器件 PROGRAMMABLE LO VOLT E2CMOS PLD
【Lattice】ISPGAL22LV10-10LKI,SPLD - 简单可编程逻辑器件 PROGRAMMABLE LO VOLT E2CMOS PLD
【Lattice】ISPGAL22LV10-15LJ,SPLD - 简单可编程逻辑器件 PROGRAMMABLE LO VOLT E2CMOS PLD