| 描述 | TIGHTLY MATCHED, MONOLITHIC DUAL | 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 10mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 45V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 50μA，500μA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 1nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 225 @ 1mA，5V | 功率 - 最大值 | 500mW |
| 频率 - 跃迁 | 110MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
