| 描述 | IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD | IGBT 类型 | PT |
|---|---|---|---|
| 配置 | 半桥 | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 32 A | 功率 - 最大值 | 130 W |
| 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 2.1V @ 15V，15A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 125 μA |
| 不同?Vce 时输入电容 (Cies) | - | 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 9-SMD 模块 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS-SMPD?.B |
