| 描述 | DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO- | IGBT 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1700 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 16 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 40 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 6V @ 15V，10A |
| 功率 - 最大值 | 150 W | 开关能量 | 1.2mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 65 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 15ns/160ns | 测试条件 | 1360V，10A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 360 ns | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263HV |
