描述 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263 | FET 特点 | 标准型 |
---|---|---|---|
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3 欧姆 @ 2A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.5V @ 1.5mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 39nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1050pF @ 25V |
功率 - 最大 | 150W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263 |
包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | IXFA4N100Q-TRL-NDIXFA4N100Q-TRLTRQ6067406 |