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IXFH12N50F

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:500 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:12 A
描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)0.4 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-247AD
封装Tube下降时间8 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散180 W
上升时间14 ns工厂包装数量30
典型关闭延迟时间28 ns

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