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  • IXFH18N100Q3

IXFH18N100Q3

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 特色产品:Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HiPerFET?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$14.26
  • 10$12.96
  • 100$11.016
  • 250$10.044
  • 500$9.396
描述MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C660 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 4mA闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4890pF @ 25V功率 - 最大830W
安装类型通孔封装/外壳TO-247-3
供应商设备封装TO-247包装管件

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