您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ixfm40n30

IXFM40N30

制造商：IXYS(IXYS,IXYS)
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：300 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：40 A

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性关于IXYS(IXYS,IXYS)

描述	MOSFET 40 Amps 300V 0.088 Rds	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.088 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-204AE
封装	Tube	下降时间	45 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	300 W
上升时间	60 ns	工厂包装数量	20
典型关闭延迟时间	75 ns

ixfm40n30的相关型号：