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  • IXFN110N60P3

IXFN110N60P3

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:Polar3? HiPerFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$25.92
  • 10$23.976
  • 100$20.412
  • 250$18.792
  • 500$17.82
描述MOSFET N-CH 600V 90A SOT227FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C56 毫欧 @ 55A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs245nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds18000pF @ 25V
功率 - 最大1500W安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-227-4供应商设备封装SOT-227B
包装管件

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