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IXFN32N120

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 10$36.863
描述MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227BFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C350 毫欧 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs400nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds15900pF @ 25V
功率 - 最大780W安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC供应商设备封装SOT-227B
包装管件

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