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IXFN55N50F

制造商：IXYS(IXYS,IXYS)
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：500 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V
漏极连续电流：55 A

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产品属性关于IXYS(IXYS,IXYS)

描述	MOSFET	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.085 Ohms
配置	Single Dual Source	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	SOT-227B
封装	Tube	下降时间	9.6 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	600 W
上升时间	20 ns	工厂包装数量	10
典型关闭延迟时间	45 ns

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