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IXFN82N60Q3

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$43.17
  • 10$40.367
  • 100$35
  • 250$32.66664
  • 500$31.03328
描述MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C66A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 41A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)6.5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs275nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds13500pF @ 25V
功率 - 最大960W安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC供应商设备封装SOT-227B
包装管件

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