您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ixfr12n100f

IXFR12N100F

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:1000 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:10 A
描述MOSFET电阻汲极/源极 RDS(导通)1.05 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体ISOPLUS 247
封装Tube下降时间12 ns
最小工作温度- 40 C功率耗散250 W
上升时间9.8 ns工厂包装数量30
典型关闭延迟时间31 ns

ixfr12n100f的相关型号: