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IXFR55N50F

产品属性关于IXYS(IXYS,IXYS)

描述	MOSFET F -Class HiPerRF Capable MOSFETs	电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.09 Ohms
配置	Single	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT	封装 / 箱体	ISOPLUS 247
封装	Tube	下降时间	9.6 ns
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	400 W
上升时间	20 ns	工厂包装数量	30
典型关闭延迟时间	45 ns

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