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  • IXFT26N50Q TR

IXFT26N50Q TR

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:HiPerFET?
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 500V 26A TO268FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)26A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)200 毫欧 @ 13A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)95 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3900 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)300W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装TO-268(IXFT)
封装/外壳TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

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