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  • IXGK75N250

IXGK75N250

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:2500 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.7 V
  • 栅极/发射极最大电压:30 V
描述IGBT 晶体管在25 C的连续集电极电流170 A
栅极—射极漏泄电流200 nA功率耗散780 W
最大工作温度+ 150 C封装 / 箱体TO-264
最小工作温度- 55 C安装风格Through Hole

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