| 描述 | POWER MOSFET TO-3 | IGBT 类型 | - |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1000 V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 100 A | 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 4V @ 15V，25A |
| 功率 - 最大值 | 200 W | 开关能量 | 5mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 | 栅极电荷 | 180 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 100ns/500ns | 测试条件 | 800V，25A，33 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 200 ns | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-204AE |
| 供应商器件封装 | TO-204AE |
