| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 12A 16SMPD | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.05 欧姆 @ 6A，15V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 77 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2875 pF @ 800 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 940W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 16-SMPD |
| 封装/外壳 | 16-BESOP（0.790"，20.11mm 宽）15 引线，裸露焊盘 |
