| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK | FET 特点 | 耗尽模式 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 800mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 21 欧姆 @ 400mA，0V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14.6nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 325pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 60W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263AA |
| 包装 | 管件 |
