| 描述 | MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 500V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 800 毫欧 @ 4A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5.5V @ 100?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1050pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 150W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 供应商设备封装 | TO-263 |
| 包装 | 管件 |
整的能力。高压工作特点可以使它能够驱动数百个串联的高亮度led。当驱动高亮度led时，该芯片的效率高于90%，使最大限度地降低能量的消耗成为可能，从而可以在相当广的领域内应用。 除了实现最小的系统功率损失外，芯片内部的电流调整器也具有固定输出的能力，从而延长了led的寿命。此外，片上还有一个7.8v的稳压器，可以为内部逻辑供电，也可以为外部逻辑提供1ma的电流，并且能够直接驱动外部mosfet管的栅极。降压变换器的参考设计如图2所示(可以提供评估板，型号为mxhv9910db3)。 ixta8n50p高速开关fet可用作主开关器件，其额定工作电压为500v，导通电阻rds(on)为0.8ω，并且25℃时的额定电流为8a。电感l1的值是由开关频率、输入电压和二极管的正向电压和电流决定的。开关频率由r1设定在64khz。频率越高，fet的损耗就越高，而较低的频率则需要较大的l1值。 ...
整的能力。高压工作特点可以使它能够驱动数百个串联的高亮度led。当驱动高亮度led时，该芯片的效率高于90%，使最大限度地降低能量的消耗成为可能，从而可以在相当广的领域内应用。 除了实现最小的系统功率损失外，芯片内部的电流调整器也具有固定输出的能力，从而延长了led的寿命。此外，片上还有一个7.8v的稳压器，可以为内部逻辑供电，也可以为外部逻辑提供1ma的电流，并且能够直接驱动外部mosfet管的栅极。降压变换器的参考设计如图2所示（可以提供评估板，型号为mxhv9910db3）。 ixta8n50p高速开关fet可用作主开关器件，其额定工作电压为500v，导通电阻rds（on）为0.8ω，并且25℃时的额定电流为8a。电感l1的值是由开关频率、输入电压和二极管的正向电压和电流决定的。开关频率由r1设定在64khz。频率越高，fet的损耗就越高，而较低的频率则需要较大的l1值。 ...
