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IXTH1N250

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:2500 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:1.5 A
描述MOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds电阻汲极/源极 RDS(导通)40 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-247AD
封装Tube下降时间39 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值)1.8 mS最小工作温度- 55 C
功率耗散250 W上升时间25 ns
工厂包装数量30典型关闭延迟时间132 ns

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