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  • IXTK180N15

IXTK180N15

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:30
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:MegaMOS?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 30$14.985
描述MOSFET N-CH 150V 180A TO-264FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)150V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs240nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds7000pF @ 25V
功率 - 最大800W安装类型通孔
封装/外壳TO-264-3,TO-264AA供应商设备封装TO-264AA
包装管件

“IXTK180N15”技术资料

  • 2kW新型推挽正激直流变换器的研制

    0.1、0.25、0.4时对应的箝位电容c的电压脉动δuc仿真波形图。由图4可知,当d=0.25时δuc最大。图5为输入电流仿真波形,其中图5(a)为原边激磁电感lm=12μh,漏感lσ=0.05μf时仿真波形图;图5(b)为原边激磁电感lm=12μh,漏感lσ=0时仿真波形图。仿真结果表明,lσ=0时输入电流不存在环流过程。 4.2 实验结果根据有关技术要求,研制出了一台输入dc24v~32v,输出dc120v的2kwdc/dc变换器。系统参数为:开关频率fs=50khz;主功率开关管为ixtk180n15;整流二极管为dsep60-06a;箝位电容c=70μf;滤波电感lf=160μh;滤波电容cf=680μf/400v×2;主变压器匝比n=6,磁芯为ee55×2。图6为额定负载下实验波形图,其中图6(a)是原边绕组电流波形图(ch1为开关管v1驱动信号波形,ch2为开关管v2驱动信号波形,ch3为绕组tp1电流波形i1,ch4为绕组tp2电流波形i2);图6(b)是开关管漏源极波形图(ch1为开关管v1的驱动信号,ch2为开关管v1源漏极电压波形,ch3为开关管v2的驱动信 ...

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