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IXTM12N90

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:900 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:12 A
描述MOSFET 12 Amps 900V 0.9 Ohms Rds电阻汲极/源极 RDS(导通)0.9 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-204AA
封装Tube下降时间32 ns
最小工作温度- 55 C功率耗散300 W
上升时间33 ns工厂包装数量25
典型关闭延迟时间63 ns

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