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  • IXTP1N80P

IXTP1N80P

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:800 V
  • 闸/源击穿电压:20 V
  • 漏极连续电流:1 A
描述MOSFET Polar Power Mosfet 800V 1A电阻汲极/源极 RDS(导通)10 Ohms
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220
封装Tube栅极电荷 Qg9 nC
最小工作温度- 55 C功率耗散42 W

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