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  • IXTP3N120

IXTP3N120

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$6.36
  • 10$5.675
  • 25$5.1076
  • 100$4.6535
  • 250$4.19952
描述MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220ABFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1350pF @ 25V
功率 - 最大200W安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220
包装管件

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