| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | FET 特点 | 耗尽模式 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 110 欧姆 @ 50mA，0V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 120pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 包装 | 管件 |
