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  • IXTY08N100D2

IXTY08N100D2

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:70
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$1.33
  • 10$1.178
  • 100$0.931
  • 250$0.817
  • 500$0.722
描述MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAKFET 特点耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss)1000V(1kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C800mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C21 欧姆 @ 400mA,0VId 时的 Vgs(th)(最大)-
闸电荷(Qg) @ Vgs14.6nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds325pF @ 25V
功率 - 最大60W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
包装管件

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