| 描述 | DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(MI | IGBT 类型 | PT |
|---|---|---|---|
| 配置 | 单路 | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 185 A | 功率 - 最大值 | 600 W |
| 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值） | 1.85V @ 15V，70A | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50 μA |
| 不同?Vce 时输入电容 (Cies) | 4.74 nF @ 25 V | 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
