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IXZH08N120

制造商：-
晶体管类型：RF MOSFET
电压, Vds 最大：1.2kV
电流, Id 连续：8A
功耗, Pd：300W
工作温度范围：-55°C 到 +175°C

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产品属性

封装类型	TO-247AD	针脚数	3
上升时间	4ns	功率, Pd	300W
在电阻RDS（上）	2.1ohm	封装类型	TO-247AD
封装类型	TO-247AD	封装类型, 替代	SOT-249
晶体管极性	?频道	最大功耗	300W
电压 Vgs @ Rds on 测量	20V	电压, Vds 典型值	1.2kV
电容值, Ciss 典型值	1960pF	电流, Idm 脉冲	40A
表面安装器件	通孔安装	阈值电压, Vgs th 典型值	6.5V

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