| 描述 | TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 | 漏极至源极电压(Vdss) | - |
|---|---|---|---|
| 漏极电流 (Id) - 最大 | - | FET 型 | N 沟道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 35V | 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id | 1V @ 1?A |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - | 电阻 - RDS（开） | 50 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 | 包装 | 散装 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW | 其它名称 | J112G-NDJ112GOS |
产品型号:j112g零门极电压最小耗尽电流idss min (?a):5000零门极电压最大耗尽电流idss max (?a):－门极－源极雪崩电压vgss min (v):35输入电容ciss max (pf):28反向最大传递电容crss max (pf):5沟道极性:n封装/温度(℃):to92/-55~150价格/1片(套):￥1.20 来源:xiangxueqin ...
