您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > JFET(结点场效应 > j113_d26z
  • J113_D26Z

J113_D26Z

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述IC SWITCH N-CHAN 35V 50MA TO-92电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)2mA @ 15V
漏极至源极电压(Vdss)-漏极电流 (Id) - 最大-
FET 型N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)35V
电压 - 切断 (VGS 关)@ Id500mV @ 1?A输入电容 (Ciss) @ Vds-
电阻 - RDS(开)100 欧姆安装类型通孔
包装带卷 (TR)封装/外壳TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装TO-92-3功率 - 最大625mW

j113_d26z的相关型号: