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  • J175,116

J175,116

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述JFET P-CHAN 30V SOT23-3漏极至源极电压(Vdss)30V
漏极电流 (Id) - 最大-FET 型P 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30V电压 - 切断 (VGS 关)@ Id3V @ 10nA
输入电容 (Ciss) @ Vds8pF @ 10V(VGS)电阻 - RDS(开)125 欧姆
安装类型通孔包装带卷 (TR)
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商设备封装TO-236AB
功率 - 最大400mW其它名称934005300116J175 T/RJ175 T/R-ND

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