描述 | TMOS | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
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配置 | - | FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 32 毫欧 @ 1.7A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 160μA |
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值) | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - |
功率 - 最大值 | - | 工作温度 | 150°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 4-XFLGA,CSP |
供应商器件封装 | 4-CSP(1.1x1.1) |