| 描述 | IC MOSFET N-CH | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 2 N 沟道（双）共源 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 5.5V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3 毫欧 @ 6A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 4nC @ 3.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 630pF @ 5.5V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 20-UFLGA，CSP |
| 供应商器件封装 | 20-WLCSP（2.48x1.17） |
