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KSA1015GRTA_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Epitaxial Transistor直流集电极/Base Gain hfe Min200 at 2 mA at 6 V
配置Single最大工作频率80 MHz
最大工作温度+ 125 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Ammo
集电极连续电流- 0.15 A最小工作温度- 65 C
功率耗散0.4 W

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