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KSA1175GTA_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Epitaxial Transistor直流集电极/Base Gain hfe Min200 at 1 mA at 6 V
配置Single最大工作频率180 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92S封装Ammo
集电极连续电流- 0.15 A最小工作温度- 55 C
功率耗散250 mW

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