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KSB1017OTU

描述Transistors Bipolar (BJT) DISC BY MFG 2/02直流集电极/Base Gain hfe Min70
最大工作频率9 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220F
封装Rail功率耗散25000 mW

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