| 描述 | TRANSISTOR PNP 25V 1A TO-92S | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 500mV @ 100mA，1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 100mA，1V |
| 功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 110MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 供应商设备封装 | TO-92S | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】KSB811GTA,TRANSISTOR PNP 25V 1A TO-92S
【Fairchild Semiconductor】KSB811GTA_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Epitaxial Transistor
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