您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > ksc2001yta_q

KSC2001YTA_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO：25 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
最大直流电集电极电流：0.7 A

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor	直流集电极/Base Gain hfe Min	135 at 100 mA at 1 V
配置	Single	最大工作频率	170 MHz
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92	封装	Ammo
集电极连续电流	0.7 A	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	0.6 W

ksc2001yta_q的相关型号：