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KSC2786OBU_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial直流集电极/Base Gain hfe Min70 at 1 mA at 6 V
配置Single最大工作频率600 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92S封装Bulk
集电极连续电流0.15 A最小工作温度- 55 C
功率耗散250 mW

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