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KSC3488GTA_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN/25V/300mA直流集电极/Base Gain hfe Min200 at 50 mA at 1 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92S
封装Ammo集电极连续电流0.3 A
最小工作温度- 55 C功率耗散0.3 W

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