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KSC5021OV

描述Transistors Bipolar (BJT)直流集电极/Base Gain hfe Min20
配置Single最大工作频率18 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-220最小工作温度- 55 C
功率耗散50000 mW

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