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KSC5603DWTM

描述Transistors Bipolar (BJT)直流集电极/Base Gain hfe Min20
最大工作频率5 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220
封装Reel最小工作温度- 65 C
功率耗散100000 mW

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