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KSD1047OTU

描述Transistors Bipolar (BJT)直流集电极/Base Gain hfe Min60
最大工作频率15 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-3P
封装Rail最小工作温度- 40 C
功率耗散80000 mW

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